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化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后ADEV微量氧分析儀水分析儀應用|埃登威自動化系統設備(上海)有限公司

化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后ADEV微量氧分析儀水分析儀應用

化學氣相沉積(CVD)是生產高質量固體薄膜和涂層的有力技術。雖然在現代工業中已經廣泛使用,但由于適應了新材料,所以還在發展。如今,通過**制造2D材料的無機膜和可以共形沉積在各種基底上的高純度聚合物膜,CVD合成技術被推向了一個新的高度。


原理:將兩種或兩種以上的氣態原料引入一個反應室,然后它們相互反應形成一種新的材料,沉積在基底表面。反應物主要是金屬氯化物,它首先被加熱到一定溫度以達到足夠高的蒸汽壓,然后與載氣(通常是Ar或H2)一起被送入反應器。如果某種金屬不能形成高壓氯化物蒸汽,就會被有機金屬化合物取代。在反應器中,涂層材料或者用金屬絲懸掛,放置在平面上,或者沉入粉末流化床中,或者本身就是流化床中的顆粒。當發生在化學反應器中時,產物會沉積在涂層材料表面,廢氣多為HCl或HF,導致堿吸收或冷阱。除了需要獲得的固體沉積物,化學反應的產物必須是氣體沉積物,它們的飽和蒸汽壓要足夠低,以使它們在整個反應和沉積過程中保持在加熱的基底上。反應過程:1。反應氣體擴散到襯底表面;2.反應氣體被吸附在襯底表面;3.表面發生化學反應、表面運動、成核和薄膜生長;4.產品從表面解吸;5.產品在表面擴散。選擇的化學反應通常應滿足以下要求:①反應物質在室溫或不太高的溫度下應為氣態,或具有高蒸汽壓和高純度;②通過沉積反應可以形成所需的材料沉積層;③反應在沉積溫度下容易控制,反應物必須有足夠高的蒸氣壓。
化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后ADEV微量氧分析儀水分析儀應用

因為CVD中使用的原料大多是特殊氣體,比較危險,所以需要對這些氣體使用特殊的氣體系統。沉積的氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子。它是由硅烷和氮氣反應形成的,而硅烷(SiH4)是一種劇毒的特殊氣體,在室溫下可以點燃,在空氣或鹵素氣體中會發生爆炸燃燒。因此,需要使用專用的氣柜來保證硅烷的**使用。

化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后往往需要監控微量氧和微量水含量,這時候可以使用ADEV的在線微量氧分析儀和微量水分析儀,

ADVE在線微量氧分析儀G1501技術特點:

■快速響應和恢復時間
■**、直接且易于使用的用戶界面
■前面板傳感器入口
■校準氣體的能力
■緊湊簡單的外形化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后ADEV微量氧分析儀水分析儀應用
■改進的溫度指數
■不受流量變化的影響。
■不需要零點氣體和輔助氣體。
■不受碳氫化合物和其他氧化氣體的影響。
■ RFI保護
■免維護。
■節約成本
■液晶數字顯示器
■ RS232雙向通信
ADVE在線微量氧分析儀G1501技術參數
測試范圍范圍:0-10ppm、0-100ppm和0-1000ppm,0-1%,0-25%的范圍。
空氣校準范圍:0-25%
可選范圍:0-1ppm
*小分辨率范圍的0.5%或50ppb化學氣相沉積室中的清潔過程中用高純氮吹掃后ADEV微量氧分析儀水分析儀應用
恒溫下重復精度為滿量程的1%(對于小于10ppm的范圍,重復精度為滿量程的3%)
工作溫度32華氏度-113華氏度(0 -45攝氏度)
日溫度指數為32 ℉ -113 ℉ (0 -45℃),小于測量范圍的3°。
90%響應時間100ppm-25%小于10秒
警報(標準)2個觸點,氧氣濃度完全可調
c形繼電器觸點3A,100伏
故障固態繼電器觸點3A,100伏
雙路輸出信號0-1VDC和隔離4-20mA
100/117/230伏交流電10% 50/60赫茲電源


ADEV在線微量水分析儀技術參數:

0-10/100/1000ppm/1%

4-20mA模擬輸出

220V或24V可選

氧化鋁工作原理


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滬公網安備 31010902002456號

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